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      奧氏體不銹鋼硫酸溶液晶間腐蝕測試

      奧氏體不銹鋼在腐蝕介質作用下,在晶粒之間產生的一種腐蝕現象稱為晶間腐蝕。主要是由于晶界處缺陷多,原子排列混亂容易出現碳化物等晶界析出物,導致晶界和晶粒處成分有差異,在一定的介質中會形成原電池,晶界處是陽極而晶粒是陰極,這樣在晶界處合金元素性溶解,會產生電化學腐蝕現象。當晶界的鉻的質量分數低到小于12%時,就形成所謂的“貧鉻區”,在腐蝕介質作用下,貧鉻區就會失去耐腐蝕能力,而產生晶間腐蝕。



      測試項目:奧氏體不銹鋼硫酸溶液晶間腐蝕測試


      測試目的:評估奧氏體不銹鋼在硫酸溶液中的耐晶間腐蝕性能。


      項目介紹:奧氏體不銹鋼在腐蝕介質作用下,在晶粒之間產生的一種腐蝕現象稱為晶間腐蝕。主要是由于晶界處缺陷多,原子排列混亂容易出現碳化物等晶界析出物,導致晶界和晶粒處成分有差異,在一定的介質中會形成原電池,晶界處是陽極而晶粒是陰極,這樣在晶界處合金元素性溶解,會產生電化學腐蝕現象。當晶界的鉻的質量分數低到小于12%時,就形成所謂的“貧鉻區”,在腐蝕介質作用下,貧鉻區就會失去耐腐蝕能力,而產生晶間腐蝕。


      測試要求:

      測試標準

      標準名稱

      樣品要求

      測試內容

      適用范圍

      GB/T 4334.6-2015

      不銹鋼5%硫酸腐蝕試驗方法

      試樣的表面積為10~30cm2,從試驗材料上切取的試樣,與軋制或鍛造方向相垂直的面積應不大于試樣表面積的1/2。加工后試樣的表面粗糙度不大于0.8μm。每次試驗的平行試樣不少于3個

      試樣的質量損失

      含鉬奧氏體不銹鋼

       


      標簽: 腐蝕性能測試 晶間腐蝕試驗

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